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Vishay采用TrenchFET® MOSFET  更高效率节省汽车应用空间

Vishay发布首颗通过AEC-Q101认证,采用ThunderFET®技术的TrenchFET功率MOSFET。Vishay Siliconix 100V N沟道SQJ402EP、SQJ488EP和SQD50N10-8m9L采用PowerPAK SO-8L和 DPAK封装,具有同类产品中最低的导通电阻值,能够提高效率及在汽车应用里节省空间。新器件将用于汽车引擎控制单元里的喷油器升压和其他应用。
 

产品优点:

•提高效率
•节约PCB空间
•连续漏极电流达50A
•100 % Rg和UIS测试
•符合JEDEC JS709A的无卤素规定
•符合RoHS指令2011/65/EU
•温度范围-55℃~+175℃


 
  




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